失效分析案例 | SiC功率模块绝缘失效根因分析 一、背景介绍 某SiC 器件在HV-H3TRB 测试时出现绝缘失效。 二、失效分析过程 以下为Zestron R&S分析结果节选. 1、光学显微镜下的失效图片   2.C3局部离子污染测试结果 3、IC离子色谱测试结果 三、分析结论 通过ZESTRON R&S开展的综合分析和累积多年的成功经验，确认NG批次样品在封装前存在较高水平的污染，降低了环氧树脂模封与基板/芯片之间的结合；在HV-H3TRB测试条件下, 当潮湿充分渗透模封料之后，离子型污染物在模封结合薄弱区域形成漏电通路，在高压条件下发生击穿导致绝缘失效。   四、拓展阅读 ZESTRON携手蔚来NIO Sniper联合举办汽车电子零部件电气绝缘可靠性研讨会 2023年年末，ZESTRON北亚区总部上海公司举办汽车电子零部件电气绝缘可靠性研讨会，来自蔚来的各地伙伴通过线上线下方式踊跃参会。 ZESTRON R&S专家受邀与上汽大众研发中心开展技术交流ZESTRON...