失效分析案例 | SiC功率模块绝缘失效根因分析 一、背景介绍 某SiC 器件在HV-H3TRB 测试时出现绝缘失效。 二、失效分析过程 以下为Zestron R&S分析结果节选. 1、光学显微镜下的失效图片   图1：开封后的SiC 器件，功率模块如何进行失效分析 图2：失效区域局部放大图。功率模块如何进行失效分析 2.C3局部离子污染测试结果 图3：NG批次的离子污染检测结果，功率模块如何进行失效分析 3、IC离子色谱测试结果 三、分析结论 通过ZESTRON R&S开展的综合分析和累积多年的成功经验，确认NG批次样品在封装前存在较高水平的污染，降低了环氧树脂模封与基板/芯片之间的结合；在HV-H3TRB测试条件下, 当潮湿充分渗透模封料之后，离子型污染物在模封结合薄弱区域形成漏电通路，在高压条件下发生击穿导致绝缘失效。   四、拓展阅读 ZESTRON携手蔚来NIO...